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Si7222DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
V GS = 10 thru 3 V
2.5
16
12
8
4
0
2V
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.050
0.047
0.044
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1200
1000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.041
0.038
0.035
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
800
600
C iss
0.032
0.029
400
0.026
0.023
0.020
200
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
6
2.1
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
4
I D = 5.2 A
V DS = 10 V
1.8
I D = 5.7 A
1.5
3
V DS = 20 V
1.2
2
1
0
0.9
0.6
0.0
2.2
4.4
6.6
8.8
11.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73439
S-83052-Rev. B, 29-Dec-08
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